電容Capacitance，也稱為(wei)“電容量”，是(shi)指(zhi)在給定(ding)電位(wei)差下的電荷存儲(chu)，記(ji)錄(lu)為C，國(guo)際單位為法(fa)拉(la)（f）。一般(ban)來說，電荷在電場中受力移(yi)動(dong)。當(dang)導(dao)體(ti)之(zhi)間存(cun)在介質(zhi)時，會阻(zu)礙(ai)電荷(he)移動，使電荷在導體上累(lei)積(ji)，從(cong)而(er)導致電荷的累積存儲。儲存的(de)電荷量(liang)稱(cheng)為電容。電容是保持電場的能(neng)力(li)。任(ren)何靜電場都(dou)是由許(xu)多(duo)電容器組成的。如果(guo)有靜(jing)電場(chang)，就(jiu)有電容(rong)。電容用(yong)靜電場來描述。 

晶(jing)振(zhen)電容選擇的幾(ji)大標(biao)準(zhun)

(1)在容許範圍(wei)內(nei)，C1，C2值越低(di)越好(hao)。

(2)C值(zhi)偏(pian)大(da)雖有利於振蕩器的安(an)穩，但(dan)將(jiang)會(hui)增(zeng)加起振時(shi)間。

(3)應(ying)使C2值大於C1值，這麽可使上電時，加快(kuai)晶振起(qi)振。

3.晶振電路(lu)中(zhong)如(ru)何(he)選(xuan)擇電容C1C2

(1)因為每(mei)一種晶振都有各(ge)自的特性，所(suo)以(yi)最好按(an)製造廠(chang)商所提供(gong)的數值選擇外(wai)部元器件。

(2)在許可(ke)範圍內，C1，C2值越(yue)低越好。C值偏大雖(sui)有利於振蕩器的穩定，但將會增加起振時間(jian)。

(3)應使(shi)C2值大於C1值，這樣可使上電時，加快晶振起振。

在石英(ying)晶體諧振器和(he)陶瓷諧(xie)振器的應用中，需要注意負載電容的選擇(ze)。不(bu)同廠家(jia)生產(chan)的石(shi)英晶體諧振器和陶瓷諧振器的特性(xing)和品質都存在較大差異(yi)，在選用時，要了解該(gai)型號振蕩(dang)器的關(guan)鍵指標，如等效電阻，廠家建(jian)議(yi)負(fu)載電容，頻率(lv)偏差(cha)等。在實際(ji)電路中，也可以通過示(shi)波器觀察(cha)振蕩波形來判斷(duan)振蕩器是否(fou)工(gong)作在最佳狀態(tai)。示波器在觀察(cha)振蕩波(bo)形(xing)時，觀察(cha)OSCO管腳(Oscillator output)，應選擇100MHz帶(dai)寬(kuan)以上的示波器探(tan)頭，這種(zhong)探頭(tou)的輸(shu)入阻抗(kang)高(gao)，容抗小，對振蕩波形相(xiang)對影(ying)響小。

(由(you)於探頭上一般存在10～20pF的電容，所以觀(guan)測時，適(shi)當減小(xiao)在OSCO管腳(jiao)的電容可以獲得更接近(jin)實(shi)際的振蕩波形)。工作良好的振蕩波形應該是一個漂(piao)亮(liang)的正(zheng)弦(xian)波，峰峰值應該大於(yu)電源電壓的70%。若(ruo)峰峰(feng)值小於70%，可適當減(jian)小OSCI及OSCO管腳上的外接(jie)負載(zai)電容。反(fan)之，若峰峰值接近電源電壓且振蕩波形發(fa)生畸變(bian)，則可適當增加負載電容。用示波器檢(jian)測(ce)OSCI(Oscillator input)管腳，容易導致振蕩器停(ting)振，原(yuan)因是：部(bu)分(fen)的探頭阻抗小不可以直(zhi)接測試(shi)，可以用串(chuan)電容的方法來(lai)進行(xing)測試。

如常用的4MHz石英晶體諧振器，通(tong)常廠家建議的外接負載電容為10～30pF左右(you)。若取中心值15pF，則C1，C2各取(qu)30pF可得(de)到(dao)其串聯(lian)等效(xiao)電容值15pF。同時考慮(lv)到還(hai)另外存在的電路板分布電容，芯片管腳電容，晶體自(zi)身寄生電容等(deng)都會影響(xiang)總電容值，故(gu)實際配(pei)置C1，C2時，可各取(qu)20～15pF左右(you)。並(bing)且C1，C2使用瓷片電容為佳(jia)。

4.選擇晶振電容的注意事項

(1)在選用時，需要(yao)了解該類型振蕩器的要害方(fang)針，例如等效電阻。

(2)但是在實習(xi)電路中，也能夠通過(guo)示波器查詢(xun)振蕩波形來判別振蕩器是不是作(zuo)業在最佳情(qing)況。

(3)當然在示波器查(cha)詢振蕩波形時，所查詢的OSCO管腳(Oscillator output)，應選擇100MHz帶寬以上的示波器探頭，這種探頭的輸入阻抗高，容抗小，對振蕩波形相對(dui)影響小。

(4)由於探頭上(shang)通常(chang)存在10～20pF的電容，所以觀測時，恰(qia)當減小在OSCO管腳的電容能夠取得更靠近實習的振蕩波形。

5.如何判斷電路中的晶振是否過驅(qu)動 

電阻器RS通常用於防止(zhi)晶振被(bei)過度驅動。過驅動晶體振蕩器會逐漸(jian)減少晶體振蕩器接觸鍍(du)層的損(sun)耗(hao)，從而導致(zhi)頻(pin)率的增加(jia)。示波器可用於檢測OSC輸出引(yin)腳。如果檢測到非常清晰的正弦波，且正弦波的上限和下(xia)限(xian)滿足時鍾輸入的需(xu)要，則(ze)晶體振蕩器不會過度(du)驅動；相反，如果正弦波形的波峰和波穀(gu)變平以使波形呈方形，則晶體振蕩器被過度驅動。此時，需要電阻Rs來防(fang)止晶體振蕩器被過度驅動。判(pan)斷電阻Rs值的最簡單(dan)方法是串聯一個(ge)5K或(huo)10K微調電阻，然後(hou)從0開始緩(huan)慢增加，直到正弦波不再平坦(tan)。這(zhe)樣(yang)，可以找到最接近的電阻Rs值。