在電路中(zhong)，IGBT也是我們常(chang)用的電子元器件(jian)之一，那(na)我(wo)們該(gai)如何檢(jian)測(ce)呢(ne)？下麵我跟大(da)家(jia)介(jie)紹(shao)一下檢測IGBT模塊的(de)好壞的方法(fa)：

1、判斷極性首(shou)先將萬(wan)用表(biao)撥在 R×1K 。擋，用(yong)萬用表測量(liang)時(shi)，若某一極與其(qi)它兩極阻值為無窮(qiong)大，調(diao)換表筆(bi)後該極與其它兩極的阻值仍為(wei)無(wu)窮大，則判斷此極(ji)為柵極（ G ）。其餘(yu)兩(liang)極再(zai)用萬用表測量，若測得(de)阻(zu)值為無窮大，調換表筆後(hou)測量阻值較小。

在測量阻值(zhi)較小的一次(ci)中，則判斷(duan)紅(hong)表筆接(jie)的為集(ji)電極（ C ) ：黑表筆接的為發射極（ E ）。

2 、判斷好壞(huai)將萬用表撥在 R×10KQ 檔，用黑表筆接 IGBT 的集電極（ C ) ，紅表筆接 IGBT 的發射極 ( E ) ，此(ci)時萬用表的指(zhi)針在零位(wei)。用手(shou)指同時觸(chu)及(ji)一下柵極（ G ）和(he)集電極（ C ) ，這時工 GBT 被觸發導通(tong)，萬用表的指針擺向(xiang)阻值較小的方(fang)向，並能站們指示(shi)在某(mou)一位置(zhi)。

然(ran)後再用手指同(tong)時觸及一下(xia)柵(shan)極（ G ）和發射極（ E ) ，這時 IGBT 被(bei)阻斷，萬用表的指針 回(hui)零。此時即(ji)可判(pan)斷 IGBT 是(shi)好的。  　 

3 、注(zhu)意(yi)事項(xiang)任(ren)何(he)指針(zhen)式萬用表鈴可用於(yu)檢測 IGBT 。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在 R×IOK擋，因(yin) R×IKQ 檔(dang)以(yi)下各檔萬用表內部電池電壓(ya)太(tai)低(di)，檢測好(hao)壞時不能(neng)使IGBT 導(dao)通，而(er)無法判斷 IGBT 的好壞。此方法同樣也(ye)可(ke)以用護檢測功(gong)率(lv)場(chang)效應晶體管 ( P 一 MOSFET ）的好壞。

IGBT模塊注意事項

由(you)於IGBT模塊為MOSFET結構(gou)，IGBT的柵極通過(guo)一層氧(yang)化(hua)膜與(yu)發射(she)極實(shi)現(xian)電隔離。由(you)於此氧化膜很薄，其擊穿(chuan)電壓一般(ban)達到(dao)20～30V。因此因靜(jing)電而導致柵極擊穿是IGBT失效(xiao)的常見原(yuan)因之一。　因此使用中要注意以下幾點：

1. 在使用模(mo)塊時，盡(jin)量不(bu)要用手觸摸(mo)驅(qu)動端子部(bu)分(fen)，當必須(xu)要(yao)觸摸模塊(kuai)端子時，要先(xian)將(jiang)人體或衣服(fu)上的靜電用大電阻接地進(jin)行放(fang)電後，再觸摸;

2. 在用導電材料連(lian)接模塊驅動端子時，在配(pei)線未接好之前請先不要接上(shang)模塊;

3. 盡量在底(di)板良好接地(di)的情(qing)況(kuang)下操(cao)作(zuo)。

在應用中有時雖(sui)然保證了(le)柵極驅動電壓沒有超(chao)過柵極最大額(e)定電壓，但柵極連線的寄(ji)生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層(ceng)損(sun)壞的振(zhen)蕩電壓。為此，通常采(cai)用雙絞線來(lai)傳(chuan)送驅動信(xin)號(hao)，以減(jian)少(shao)寄生電感(gan)。在柵極連線中串(chuan)聯小(xiao)電阻也可以抑(yi)製振蕩電壓。

此外(wai)，在柵極—發射極間開(kai)路時，若(ruo)在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變(bian)化，由於集電極有漏(lou)電流流(liu)過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這(zhe)時，如(ru)果(guo)集電極與發射極間(jian)存(cun)在高電壓，則(ze)有可能使(shi)IGBT發熱及至損壞。

在安裝或(huo)更換(huan)IGBT模塊時，應十(shi)分重(zhong)視IGBT模塊與散(san)熱片的接觸麵狀態和擰緊(jin)程(cheng)度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱(re)器與IGBT模塊間塗(tu)抹(mo)導熱矽脂。一般散熱片底部安(an)裝有散熱風(feng)扇(shan)，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發(fa)熱，而發生故(gu)障。

保存注意事項：

1. 一般保(bao)存IGBT模塊的場所，應保持(chi)常溫(wen)常濕狀(zhuang)態(tai)，不應偏(pian)離太大。常溫的規(gui)定(ding)為5～35℃ ，常濕(shi)的規定在45～75%左(zuo)右。在冬(dong)天(tian)特(te)別幹(gan)燥的地區，需(xu)用加(jia)濕機加濕。

2. 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰(hui)塵較(jiao)多的場合。

3. 在溫度(du)發生急劇變化的場所(suo)IGBT模塊表麵可能有結露水的現象(xiang)，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方。

4. 保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物。

5. 裝IGBT模塊的容器，應選用不帶(dai)靜電的容器。